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J-GLOBAL ID：202102245667819497   整理番号：21A0175377

室温アプローチによる高電子移動度トランジスタ用の(Al)GaNバッファ中の炭素関連トラップエネルギー準位の決定【JST・京大機械翻訳】

Determination of carbon-related trap energy level in (Al)GaN buffers for high electron mobility transistors through a room-temperature approach

著者 (11件)： Chen Xin (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Zhong Yaozong (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhou Yu (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Gao Hongwei (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhan Xiaoning (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Su Shuai (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Guo Xiaolu (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Sun Qian (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  Zhang Zihui (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Bi Wengang (State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Yang Hui (Key Laboratory of Nano-Devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 26  ページ： 263501-263501-7  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素ドープ(Al)GaNバッファ中のトラップエネルギー準位を決定する室温法を,バッファ垂直漏洩の測定と組み合わせたバックゲート電圧下のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの過渡電流測定を介して開発した。高いバックゲート電圧の下で,トラップエネルギー準位と電場強度の平方根の間に直線関係が得られ,Cドープバッファにおける垂直伝導がPoole-Frenkel則に従うことを示唆した。CドープAl_0.07Ga_0.93Nのトラップエネルギー準位は,最終的に確立された室温アプローチを通して1.1eVであると決定され,一方,CドープGaNのそれは0.9eVであり,その両方は炭素不純物に関連している。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エネルギー準位 ,  電圧 ,  不純物 ,  *炭素 ,  ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電界強度
準シソーラス用語： バックゲート ,  過渡電流 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  高電子移動度トランジスタ ,  Al ,  GaN ,  バッファ ,  炭素 ,  トラップ ,  エネルギー準位