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J-GLOBAL ID:202102245854334236   整理番号:21A0763745

VUV支援ゾル-ゲル処理により得られた高ルミネセンスZnO薄膜【JST・京大機械翻訳】

Highly luminescent ZnO Thin Films Obtained by VUV-assisted Sol-Gel Processing
著者 (4件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.9a-Z05-4  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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広いバンドギャップ(3.37eV)半導体としての酸化亜鉛(ZnO)は,薄膜トランジスタ(TFT),光起電力,光触媒,センサなどにおける広範囲の応用に対して有用な材料である。室温(RT)での大きな励起子結合エネルギー(60meV)はZnOを特...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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