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J-GLOBAL ID：202102245943730077   整理番号：21A0387104

GaN単結晶ウエハからのガンマ線誘起光電子放出【JST・京大機械翻訳】

Gamma-ray induced photo emission from GaN single crystal wafer

著者 (5件)： Nakamura Toshihiro (Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Nishimura Tomoaki (Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Kuriyama Kazuo (Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Nakamura Tohru (Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Kinomura Atsushi (Institute for Integrated Radiation and Nuclear Science, Kyoto University, Kumatori, Osaka 590-0494, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 118  号： 3  ページ： 032106-032106-4  発行年： 2021年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNからのγ線誘起光電子放出を室温で成長させたままとγ線照射した単結晶ウエハに対して調べた。GaN結晶はコバルト-60源から1.17と1.33MeVのγ線で照射された。γ線誘起光電子放出を,GaNの前面に配置した光ファイバケーブルを用いた分光計によって解析した。成長したままのGaNウエハからのγ線誘起光電子放出において,黄色ルミネセンス(YL)が,440nm~900nm付近のスペクトルにおいて約600nmのピークで観測される。主なYLピークはGa空孔に起因した。単結晶ウエハの厚みが結晶中のγ線の強い浸透により0.25mmから0.75mmに増加したとき,発光強度はウエハ厚さに比例して増加した。He-Cdレーザ励起では,He-Cdレーザ光の侵入が表面近傍であるため,発光強度は試料の厚さに依存しない。一方,全γ線線量990kGyで照射されたGaNからのγ線誘起光電子放出は,450nmから850nm付近のスペクトルで約700nmのピークで観測される。発光ピークのエネルギーは,Ga格子間の+1状態から+2状態への遷移エネルギー(1.83eV)に近い。室温でのGaNからのγ線誘起光電子放出は,γ線検出器として用いるGaN単結晶ウエハの可能性を示唆した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光電子放出 ,  *γ線 ,  γ線照射 ,  発光 ,  ルミネセンス ,  *ガリウム ,  レーザビーム ,  スペクトル ,  放射線量 ,  分光計 ,  *窒化ガリウム ,  光ケーブル ,  遷移エネルギー ,  レーザ励起
準シソーラス用語： 発光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  単結晶ウエハ ,  ガンマ線 ,  誘起 ,  光電子放出