文献

J-GLOBAL ID：202102247212975631   整理番号：21A0763817

近赤外応答を有する電気制御相変化材料によるオプトエレクトロニックメモリデバイス【JST・京大機械翻訳】

Optoelectronic memory device via electrically controlling phase change material with near-infrared response

著者 (2件)： CHEN Hsin-Hua (National Chiao Tung Univ., TWN) ,  CHEN Kuo-Ping (National Chiao Tung Univ., TWN)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z16-11  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： 要約。本研究では,相変化材料(PC...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： ガラス ,  *記憶装置 ,  高温 ,  焼なまし ,  相転移 ,  電圧 ,  薄膜 ,  電力 ,  スペクトル ,  素子構造 ,  多重化 ,  *近赤外線 ,  透過率
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 近赤外 ,  応答 ,  電気制御 ,  相変化材料