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J-GLOBAL ID：202102247597384212   整理番号：21A1712442

650V GaNパワーデバイスにおける応力下のR_on増加に及ぼす基板終端の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of substrate termination on R_on increase under stress in 650 V GaN power devices

著者 (10件)： Li Feiyu ( School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Wang Ronghua ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Huang Huolin ( School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Huang Huolin ( School of Optoelectronic Engineering and Instrumentation Science, Dalian University of Technology, Dalian 116024, People’s Republic of China) ,  Ren Yongshuo ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Ren Guangshan ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Liang Zhuang ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Zhou Fubin ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Cheng Wanxi ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China) ,  Liang Huinan ( Dalian Xinguan Technology Corporation, Dalian 116023, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54  号： 26  ページ： 265106 (6pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バッファ関連電子捕獲とホット電子注入は,デバイスにおけるR_on劣化の原因となるが,基板終端の影響は,まだ不確かである。本研究では,650V窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスにおける異なる垂直トラッピング機構を調べるために,正および負の基板バイアスの両方を適用した。R_onは垂直バイアス応力下で瞬間的で顕著な増加を示し,下方緩衝電子捕獲誘起R_on増加は上方トラッピング誘起よりも相対的に大きかった。さらに,基板浮遊および接地GaNデバイスもオフ状態および半オン状態応力の両方を受け,ホットエレクトロン注入誘起R_on増加に及ぼす基板終端の影響を調べた。上方電子捕獲強度は,温度とともにより速く増加し,下方状態よりも高いR_on増加をもたらした。熱電子効果は,基板が接地されたときのみ明らかであり,主な注入 destination先が緩衝剤でないことを示唆した。基板浮上装置は,高温におけるオフ状態と半オン状態応力の両方の後,より低いR_on増加を示した。基板フロートパッケージは,特に高電圧応用設計のために,デバイスの信頼できる動的性能を確実にすることを示唆した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  電子捕獲 ,  接地 ,  浮遊 ,  電子効果 ,  *窒化ガリウム ,  バイアス ,  ホットエレクトロン ,  トラッピング処理
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  基板バイアス ,  トラッピング ,  オン状態 ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaNパワーデバイス ,  応力 ,  終端