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J-GLOBAL ID：202102247655794543   整理番号：21A0463297

CaKFe_4As_4単結晶における臨界電流密度を増強する平面欠陥の起源の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidating the origin of planar defects that enhance critical current density in CaKFe₄As₄ single crystals

著者 (4件)： Ichinose Ataru (Electric Power Engineering Research Laboratory, Central Research Institute of Electric Power Industry, 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka-shi, Kanagawa 240-0196, Japan) ,  Pyon Sunseng (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-Ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Tamegai Tsuyoshi (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-Ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Ishida Shigeyuki (Research Institute for Advanced Electronics and Photonics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 34  号： 3  ページ： 034003 (7pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaKFe_4As_4は1144型鉄系超伝導体(IBSs)の新しいメンバーであり,その結晶構造は122型IBSのそれと類似しているので,顕著な超伝導特性を示すことが期待される。最近,面内と面外臨界電流密度(J_C)の間の大きな異方性が,高磁場での面内J_Cの特異な温度依存性と共に,CaKFe_4As_4単結晶で報告されている。J_Cの異方性は平面欠陥の存在に起因し,これはab面に限定されることを示した。しかし,これらの欠陥の起源は不明である。これらの平面欠陥の起源を解明するために,ここでは,高品質CaKFe_4As_4単結晶の原子スケール微細構造解析に関する結果を提示した。高分解能走査透過電子顕微鏡(STEM)を用いて,電子エネルギー損失分光法と共に,これらの平面欠陥が,周期的に秩序化したKFe_2As_2とCaFe_2As_2単分子層上に広がる,1層または2層KFe_2As_2ステップネットワークから成ることを示した。さらに,通常のSTEMを介して観測された暗コントラスト領域は,単位格子中のKによるCaの置換に由来する局所歪分布であることを報告する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  コントラスト ,  *単結晶 ,  超伝導 ,  電子顕微鏡観察 ,  *カルシウム ,  単分子層 ,  温度依存性 ,  強磁場 ,  高分解能 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  *臨界電流密度
準シソーラス用語： *面欠陥 ,  単位格子 ,  局所歪 ,  原子スケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  臨界電流密度 ,  増強 ,  平面欠陥 ,  起源