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J-GLOBAL ID：202102247962999250   整理番号：21A0176029

Schottky障壁ダイオード壁集積トレンチMOSFETを有するSiCインバータにより励起された磁性材料の鉄損評価【JST・京大機械翻訳】

Iron loss evaluation of magnetic materials excited by a SiC inverter with a Schottky barrier diode wall-integrated trench MOSFET

著者 (6件)： Yao Atsushi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Kato Fumiki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Hozoji Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Harada Shinsuke (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Yamaguchi Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Sato Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1, Tsukuba 305-8569, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 10  号： 12  ページ： 125129-125129-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,炭化ケイ素(SiC)インバータ励起下で,従来の非配向(NO)シリコン鋼板コアの磁気ヒステリシスおよび鉄損失特性に及ぼす異なるダイオード特性の影響を調べた。開発したSchottky障壁ダイオード(SBD)壁集積トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)を用いて,インバータにより励起された磁気コアの磁気特性を,高V_onのボディPiNダイオードを持つ従来のU型トレンチゲートMOSFET(UMOS)を用いたインバータにより励起した。本研究は,マイナーループの形状および鉄損失特性がインバータのダイオード特性のみに強く依存することを初めて示した。低V_onダイオード(すなわち,ビルトインSBD)を有するSWITCH-MOSインバータによって励起された磁性材料の鉄損失は,高V_onダイオード(すなわち,体PiNダイオード)を有する従来のUMOSを使用する場合より小さかった。すなわち,ビルトインSBDを有するSWITCH-MOSは,スイッチング損失だけでなく,モータコアのような磁性材料における鉄損失も低減できる。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気ヒステリシス ,  *ダイオード ,  *励起 ,  磁気的性質 ,  電動機 ,  *磁性材料 ,  *MOSFET ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  磁心 ,  *磁損 ,  スイッチング損失 ,  マイナーループ ,  ケイ素鋼板
準シソーラス用語： トレンチゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： Schottky障壁ダイオード ,  集積 ,  トレンチ ,  MOSFET ,  SiC ,  インバータ ,  励起 ,  磁性材料 ,  鉄損 ,  評価