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J-GLOBAL ID：202102248359593089   整理番号：21A0596413

数層WSe_2電界効果トランジスタのゲートバイアス不安定性【JST・京大機械翻訳】

Gate-bias instability of few-layer WSe₂ field effect transistors

著者 (10件)： Wen Shaofeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lan Changyong ,  Li Chun ,  Zhou Sihan ,  He Tianying ,  Zhang Rui ,  Zou Ruisen ,  Hu Hao ,  Yin Yi ,  Liu Yong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 11  号： 12  ページ： 6818-6824  発行年： 2021年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体二次元(2D)層状材料は,それらの新しい電子特性により次世代エレクトロニクスにおいて大きな可能性を示した。しかし,2D材料に基づく電界効果トランジスタ(FET)の性能は,ゲートバイアスストレス下で常に環境依存性で不安定である。ここでは,数層p型WSe_2系FETの環境依存性性能とゲート誘起不安定性を報告した。トランジスタの正孔移動度は真空中で劇的に減少し,空気中に比べて真空中のin situアニール後に減少し,空気曝露後に回復できることを見出した。WSe_2FETのオン電流は正のゲートバイアスストレス時間と共に増加するが,負のゲートバイアスストレス時間と共に減少する。二重掃引移動曲線に対して,トランジスタは顕著なヒステリシスを示し,それは掃引速度と掃引範囲の両方に依存した。遅い掃引速度または大きな掃引範囲を適用すると大きなヒステリシスが観察された。さらに,このようなゲート誘起不安定性は真空で低減でき,その場真空アニール後にさらに減少した。しかし,ゲート誘起不安定性は完全には除去できず,WSe_2チャネルおよび/またはWSe_2/SiO_2の界面におけるデバイスおよび欠陥に吸着したガスがゲート誘起不安定性の原因であることを示唆した。これらの結果は,p型WSe_2系トランジスタにおけるゲート誘起不安定性の深い理解を提供し,高性能2D材料ベースエレクトロニクスの設計に光を当てる。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  焼なまし ,  電流 ,  *トランジスタ ,  半導体 ,  ヒステリシス ,  *FET【トランジスタ】 ,  積層材料 ,  電子技術 ,  二次元 ,  不安定性
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  *ゲートバイアス ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  ゲートバイアス ,  不安定性