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J-GLOBAL ID：202102248559541112   整理番号：21A0151621

ナノメータ技術のための新しい放射線硬化メモリセル設計【JST・京大機械翻訳】

Novel Radiation Hardened Memory Cell Design for Nanometer Technology

著者 (4件)： Xiao Li-Yi (Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001) ,  Li Hong-Chen (Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001) ,  Li Jie (Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001) ,  Liu He (Microelectronic center, Harbin Institute of Technology,Harbin,China,150001)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,10トランジスタを用いた新しい放射線硬化メモリセル(RH-10T)を提案し,ナノメータ技術に対する単一事象アップセットを許容した。シミュレーション結果は,提案したRH-10Tセルが,高い信頼性,小さな読取りと書き込みアクセス時間と許容できる電力消費を持つことを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  トランジスタ ,  電力消費 ,  *記憶素子 ,  *放射線架橋 ,  呼出時間
準シソーラス用語： 高信頼性 ,  単一事象 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノメータ ,  放射線硬化 ,  メモリセル ,  設計