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J-GLOBAL ID：202102250040854682   整理番号：21A0182061

点欠陥エンジニアリングとSbドーピングによるMg_2Sn単結晶の熱電性能の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancing the Thermoelectric Performance of Mg₂Sn Single Crystals via Point Defect Engineering and Sb Doping

著者 (6件)： Saito Wataru (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Hayashi Kei (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Huang Zhicheng (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Dong Jinfeng (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, China) ,  Li Jing-Feng (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, China) ,  Miyazaki Yuzuru (Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 52  ページ： 57888-57897  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg_2Snは,環境適合性を示す可能性のある熱電(TE)材料である。本研究では,SbドープMg_2Sn(Mg_2Sn_1-xSb_x)単結晶インゴットを作製し,点欠陥工学とSbドーピングによるTE性能の向上を実証した。Mg_2Sn_1-xSb_x単結晶インゴットは,高いキャリア移動度に加えてドナードーピング効果のため,かなり増強された電気伝導率を示した。さらに,Mg_2Sn_1-xSb_x単結晶インゴットは点欠陥としてMg空孔(V_Mg)を含んでいた。導入したV_MgとドープしたSb原子は,フォノン散乱中心として作用するナノ構造を形成した。その結果,多結晶対応物と比較して,Mg_2Sn_1-xSb_x単結晶インゴットに対して,より低い格子熱伝導率を達成した。Mg_2Sn_0.99Sb_0.01単結晶インゴットでは,電気伝導率の著しい増強と格子熱伝導率の低下により,最大パワーファクタ5.1(4)×10-3W/(K2m)と最大無次元性能指数0.72(5)が達成され,単相Mg_2Sn_1-xSb多結晶のものより高い。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *単結晶 ,  *点欠陥 ,  電気伝導率 ,  ドナー ,  *アンチモン ,  *マグネシウム ,  力率 ,  多結晶 ,  *ドーピング ,  単相 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  格子熱伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Mg_2Sn ,  単結晶 ,  点欠陥 ,  Mg空孔 ,  Sbドーピング ,  ナノ構造 ,  熱電特性

分類 (5件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 点欠陥 ,  エンジニアリング ,  Sb ,  ドーピング ,  単結晶 ,  増強