Saito Wataru について
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan について
Hayashi Kei について
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan について
Huang Zhicheng について
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan について
Dong Jinfeng について
State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, China について
Li Jing-Feng について
State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, China について
Miyazaki Yuzuru について
Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan について
ACS Applied Materials & Interfaces について
キャリア移動度 について
単結晶 について
点欠陥 について
電気伝導率 について
ドナー について
アンチモン について
マグネシウム について
力率 について
多結晶 について
ドーピング について
単相 について
ナノ構造 について
フォノン散乱 について
格子熱伝導率 について
Mg_2Sn について
単結晶 について
点欠陥 について
Mg空孔 について
Sbドーピング について
ナノ構造 について
熱電特性 について
半導体結晶の電気伝導 について
半導体の結晶成長 について
電気化学反応 について
その他の無機化合物の電気伝導 について
点欠陥 について
エンジニアリング について
Sb について
ドーピング について
単結晶 について
増強 について