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J-GLOBAL ID：202102250154307905   整理番号：21A0984788

GaN電力HEMTの動的破壊電圧【JST・京大機械翻訳】

Dynamic Breakdown Voltage of GaN Power HEMTs

著者 (6件)： Zhang R. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA) ,  Kozak J. P. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA) ,  Song Q. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA) ,  Xiao M. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA) ,  Liu J. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA) ,  Zhang Y. (Virginia Polytechnic Institute and State University,Center for Power Electronics Systems,VA,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 23.3.1-23.3.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,非クランプ誘導スイッチング(UIS)セットアップに基づいて,超短パルスにおける非アバランシェデバイスの過渡絶縁破壊電圧(BV)を測定する新しい方法を開発する。初めて,600/650V増強モードpゲートGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の2つのタイプの過渡BVを,25ns(dv/dt>100V/ns)から2sまでのパルス幅にわたって測定した。BVは,静的BVより高い500Vまで,パルス幅の減少と共に増加することが分かった。この挙動は,減少したバッファトラッピングと,より短いパルスでのより低いピーク電場によって説明される。パルス幅に対するわずかな異なるBV依存性を2種類のデバイスで観察し,その機構を明らかにした。反復UIS試験も行い,この新しく基礎の「動的BV」が,GaN HEMTを付加的過電圧と電力応用のサージエネルギーマージンを提供できることを明らかにした。これらの知見は,GaN HEMTのBVと耐久性に関する重要な新しい洞察を提供する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *電圧 ,  電場 ,  クランプ ,  過電圧 ,  電力応用 ,  耐久性 ,  パルス ,  パルス幅 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： 超短パルス ,  絶縁破壊電圧 ,  トラッピング ,  GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  電力HEMT ,  破壊電圧