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J-GLOBAL ID:202102250507712138   整理番号:21A0066511

動的アバランシェ電気特性を考慮したFS-IGBTの物理モデルとチップ不均一応力の解析【JST・京大機械翻訳】

Physical Model of FS-IGBT Considering Dynamic Avalanche Electrical Characteristics and Analysis of Chip Non-uniform Stress
著者 (3件):
資料名:
巻: 2020  号: ICIBA  ページ: 640-644  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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動的アバランシェはIGBTの極端な作動条件であり,それはスイッチングオフ過渡において独特の電気特性を有する。IGBTのターンオフ特性を正確に特性評価するために,本論文は,動的アバランシェ現象の物理的機構および動的アバランシェ形成の後の乗数効果に基づく動的アバランシェ現象のための従来のIGBTターンオフ物理モデルの改良方法を提案した。最後に,物理モデルに従って,チップ表面上の応力の不均等分布を解析し,それはIGBTモデル確立と信頼性解析の基礎を提供する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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