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J-GLOBAL ID：202102251608057039   整理番号：21A0175363

ハーフインチ単結晶ウエハ上に作製した擬垂直ダイヤモンドSchottky障壁ダイオードにおける高収率均一性【JST・京大機械翻訳】

High yield uniformity in pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes fabricated on half-inch single-crystal wafers

著者 (4件)： Hanada Takanori (Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Ohmagari Shinya (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan) ,  Kaneko Junichi H. (Faculty of Engineering, Hokkaido University, Kita 13, Nishi 8, Kita-ku, Sapporo 060-8628, Japan) ,  Umezawa Hitoshi (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 26  ページ： 262107-262107-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半インチ半絶縁ダイヤモンド(100)ウエハを用いてダイヤモンド擬垂直Schottky障壁ダイオードを作製した。大部分のダイオードは,5V(0.6MV cm-1)の逆バイアスで検出されない漏れ電流で大きな整流比(>1010)を示し,オーム状の漏れ電流を示すダイオードのわずか2%であった。表面欠陥をSchottky障壁ダイオードの下で観察し,電気的性質に及ぼすそれらの影響をMurphyモデルと相関因子分析を用いて解析した。ほとんどの結晶欠陥(表面ヒロック)が電気的に非活性であり,非エピタキシャル結晶とプロセス関連場板亀裂が大きな漏れ電流を誘起する主な欠陥であることを見出した。このようなキラー欠陥のないSchottky障壁ダイオードは,~5MVcm-1の高い電場強度を示した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  亀裂 ,  格子欠陥 ,  *ダイオード ,  *ダイヤモンド ,  電気的性質 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  漏れ電流 ,  表面欠陥 ,  因子分析 ,  電界強度
準シソーラス用語： 半絶縁性 ,  ヒロック ,  逆バイアス ,  整流比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： インチ ,  単結晶ウエハ ,  作製 ,  垂直 ,  ダイヤモンド ,  Schottky障壁ダイオード ,  収率 ,  均一性