受動等化器と一体化した全シリコン集中電極変調器の高速動作

SOBU Yohei; TANAKA Shinsuke; TANAKA Yu

文献

J-GLOBAL ID：202102252724563539 整理番号：21A0132136

受動等化器と一体化した全シリコン集中電極変調器の高速動作

High-Speed-Operation of All-Silicon Lumped-Electrode Modulator Integrated with Passive Equalizer

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資料名：
巻： E103.C 号： 11 ページ： 619-626(J-STAGE) 発行年： 2020年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

シリコンフォトニクス技術は,データセンタアプリケーションに使用できる小型形状因子トランシーバの有望な候補である。この技術には,小さなフットプリント,低い製造コスト,および良い温度免疫がある。しかし,その主な課題は,低電力消費の光学変調器のための高いボー速度動作にある。本論文では,集中電極光移相器に基づく全シリコンMach-Zehnder変調器を検討した。これらの移相器は,低電力光送信機を達成するために,相補型金属酸化物半導体(CMOS)インバータドライバによって駆動される。このアーキテクチャは,電気的ディジタルアナログ変換器(DAC)と線形ドライバを必要としないので,電力効率を改善する。さらに,電流はデータ遷移時にだけ流れる。この目的のために,PINダイオードを用いた。これらの移相器は大きな静電容量を持ち,光位相シフトを維持しながら駆動電圧を減少できる。他方,本研究では,変調器の電気光学(EO)帯域幅を拡大するために,PIN移相器と受動抵抗容量(RC)等化器を集積した。したがって,変調効率とEO帯域幅は,RC等化器のコンデンサを設計することによって最適化できる。本論文では,全Si PIN-RC変調器の高速動作に対する最近の進展をレビューした。本研究では,より広いEO帯域幅を得るために,受動RC等化器を有するコンデンサ用の金属-絶縁体-金属(MIM)構造を導入した。その結果,35.7~37GHzのEO帯域幅を達成し,70Gbaud NRZ動作を確認した。(翻訳著者抄録)

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光変調器

引用文献 (26件)：

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