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J-GLOBAL ID：202102253270350234   整理番号：21A1146061

大口径ウエハに及ぼす4H-SiCエピタクシーに対する精密温度制御の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of precise temperature control for 4H-SiC epitaxy on large diameter wafers

著者 (6件)： Daigo Yoshiaki (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan) ,  Watanabe Toru (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan) ,  Ishiguro Akio (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan) ,  Ishii Shigeaki (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan) ,  Kushibe Mitsuhiro (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan) ,  Moriyama Yoshikazu (NuFlare Technology, Inc.,TFW Equipment Engineering Department,Yokohama-shi,Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ISSM  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホモエピタキシャル4H-SiC膜を高速ウエハ回転垂直CVD法を用いて成長させ,高温計により直接モニタした膜特性とウエハ温度の再現性との相関を調べた。ウエハ温度の単一ゾーン制御を行うと,エピタキシャル成長の反復において厚さとドーピング濃度の大きな変動が観察された。厚さとドーピング濃度のこの変動はウエハ上の温度分布のそれに対応していたが,ヒータに導入された見かけのパワーの大きな変動は観察されなかった。一方,ウエハ温度の二重ゾーン制御を行うと,厚さ,ドーピング濃度および温度分布の変動がかなり低下した。単一ゾーン制御による温度分布の大きな変動は4H-SiCウエハの結晶品質の変化によると思われる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *温度制御 ,  温度分布 ,  加熱器 ,  再現性 ,  ドーピング ,  監視装置 ,  化学蒸着 ,  大口径
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  *4H-SiC ,  高温計 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大口径 ,  ウエハ ,  4H-SiC ,  エピタクシー ,  精密 ,  温度制御