文献

J-GLOBAL ID：202102253983192628   整理番号：21A2328132

超ワイドバンドギャップ半導体β-Ga_2O_3のテラヘルツ発光分光法と顕微鏡法【JST・京大機械翻訳】

Terahertz Emission Spectroscopy and Microscopy on Ultrawide Bandgap Semiconductor β-Ga2O3

著者 (8件)： Jiang Hao (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Gong Chen (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Nishimura Tatsuhiko (SCREEN Holdings CO., Ltd., Kyoto 612-8486, Japan) ,  Murakami Hironaru (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kawayama Iwao (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan) ,  Kawayama Iwao (Graduate School of Energy Science, Kyoto University, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Nakanishi Hidetoshi (SCREEN Holdings CO., Ltd., Kyoto 612-8486, Japan) ,  Tonouchi Masayoshi (Institute of Laser Engineering, Osaka University, Osaka 565-0871, Japan)
資料名： Photonics (Web)  (Photonics (Web))
巻： 7  号： 3  ページ： 73  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7260A  ISSN： 2304-6732  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム酸化物Ga_2O_3は,次世代超ワイドバンドギャップ半導体として,様々な応用に対して注目されているが,さらに,高性能デバイスにおける使用をサポートするために,さらなる光学的キャラクタリゼーションが必要である。本研究では,テラヘルツ(THz)発光分光法(TES)およびレーザTHz発光顕微鏡(LTEM)をSnドープ,意図的にドープおよびFeドープGa_2O_3ウエハに適用した。フェムト秒(fs)レーザ照明は光電流の時間導関数に基づいてTHz波を発生させた。TESプローブは,伝導バンドに励起される超高速光キャリアの運動をプローブし,LTEMは,レーザビーム直径と数百fsの空間と時間分解能で,それらの局所時空運動を可視化する。対照的に,Ga_2O_3のバンド間遷移に対する光ルミネセンスも識別可能な光吸収も観察しなかった。このように,TES/LTEMは,例えば,局所移動度,表面電位,欠陥,バンド曲げ,および非接触,非破壊的方法での異方性光応答に関する補足的な情報を提供する。結果は,バンドがn型ウエハと異なり,Feドープウエハの表面で下方に曲り,THz発光強度が局所電子移動度と拡散ポテンシャルの積に定性的に比例し,侵入深さに逆比例し,その全ては材料の品質と欠陥/不純物との強い相関を有することを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  光電流 ,  *発光 ,  光吸収 ,  光ルミネセンス ,  不純物 ,  スズ ,  可視化 ,  レーザビーム ,  *顕微鏡観察 ,  伝導バンド ,  ドーピング ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 発光強度 ,  *ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： テラヘルツ発光分光法 ,  レーザテラヘルツ放射顕微鏡法 ,  超ワイドバンドギャップ半導体 ,  β-Ga_2O_3

分類 (2件)： 光学的測定とその装置一般  (BD07010S) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (42件)：

• Ahmadi, S.E.; Oshima, Y. Materials issues and devices of α-and β-Ga2O3. J. Appl. Phys. 2019, 126, 160901.
• Pearton, S.J.; Ren, F.; Tadjer, M.; Kim, J. Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETS. J. Appl. Phys. 2018, 124, 220901.
• Higashiwaki, M.; Sasaki, K.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Koukitu, A.; Kuramata, A.; Masui, T.; Yamakoshi, S. Recent progress in Ga2O3 power devices. Semicond. Sci. Technol. 2016, 31, 034001.
• Rana, D.S.; Tonouchi, M. Terahertz Emission Functionality of High-Temperature Superconductors and Similar Complex Systems. Adv. Opt. Mater. 2020, 8, 1900892.
• Huang, Y.; Yao, Z.; He, C.; Zhu, L.; Zhang, L.; Bai, J.; Xu, X. Terahertz surface and interface emission spectroscopy for advanced materials. J. Phys. Condens. Matter. 2019, 31, 153001.

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  テラヘルツ ,  発光分光法 ,  顕微鏡法