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J-GLOBAL ID:202102255872893089   整理番号:21A0985283

7 世代IGBT技術は太陽応用において最高電力密度スタックを可能にする【JST・京大機械翻訳】

7th Generation IGBT technology enables highest power density stack in solar application
著者 (3件):
資料名:
巻: 2020  号: IPEMC - ECCE Asia  ページ: 2056-2060  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最近,太陽インバータ開発の主な傾向は,より高い電力定格とより高い出力密度であり,システムコストを減少できる。IGBTの最先端技術の状態は7世代に入って,それは最後の世代と比較して約30%高いIGBTモジュールの電力定格を増加できる。NPC1トポロジーは,宇宙信頼性と高効率要求を満たすために,1500VDC太陽インバータで広く使われている。しかしながら,このトポロジーは,複雑な制御に導く1つの位相脚において6つのデバイスを必要とし,もしターンオフシーケンスが正しくないならば,短絡故障があるかもしれない。本論文では,最新のIGBT技術とNPC2トポロジーを用いて太陽インバータの新しいスタックを構築し,最高の電力密度を実現した。NPC2トポロジーにおける宇宙故障問題を解決するために,このスタックで2.3kV電圧定格IGBTを選択した。このスタックの最大電力定格は,電気と熱試験を通して2MWに達することができる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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