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J-GLOBAL ID：202102256582606339   整理番号：21A0696679

Bulk SiGeを用いたSi-Siモード無歪ラマンシフトの導出

Investigation of Strain-Free Raman Shift for Si-Si mode in SiGe using Bulk SiGe

著者 (7件)： 横川凌 (明治大 理工) ,  横川凌 (再生可能エネルギー研究インスティテュート) ,  山岡桃代 (明治大 理工) ,  荒井康智 (JAXA) ,  米永一郎 (東北大) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (再生可能エネルギー研究インスティテュート)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z12-15  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景と目的】SiGeは熱伝導率が著しく低下することから熱電発電デバイスへの応用が期待されており、更なる熱電性能向上には高キャリア移動度かつ低熱伝導率の両立が必要不可欠である。SiGe中の歪は、キャリア移動度向上やデバイス設計に直接寄与する...【本文一部表示】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  屈折率 ,  単結晶 ,  熱伝導率 ,  薄膜 ,  フォノン ,  *ゲルマニウム ,  波長 ,  緩和現象 ,  分光計 ,  Raman分光法 ,  残留歪 ,  バッファ層
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  Si ,  歪 ,  導出