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J-GLOBAL ID：202102257468244632   整理番号：21A1861819

単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性

Fabrication and Evaluation of Single-Electron Devices Formed by Single-Layered Fe Nanodot Array

著者 (7件)： 瘧師貴幸 (北大 大学院情報科学院) ,  浅井佑基 (北大 大学院情報科学院) ,  BYUN Beommo (北大 大学院情報科学院) ,  天野郁馬 (北大 大学院情報科学院) ,  福地厚 (北大 大学院情報科学院) ,  有田正志 (北大 大学院情報科学院) ,  高橋庸夫 (北大 大学院情報科学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 121  号： 44(ED2021 1-10)  ページ： 23-26 (WEB ONLY)  発行年： 2021年05月20日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単電子デバイス(Single-Electron Device:SED)は超低消費電力・高機能性を有するナノデバイスであり,ニューラルネットワークや再構成可能コンピューティングなどの新しい情報処理技術への応用が期待されている.多数のドットから構成されるマルチドットSEDは,複数のゲートを取り付けることで機能的な動作が期待できる.マルチドットSEDを比較的容易に作製する方法として,ここでは金属薄膜の成長初期に形成される自己組織化ナノドットアレイに注目した.本研究では,単層Feナノドットアレイを用いたダブルゲートSEDを作製し,電気特性を評価した.作製デバイスは電極間に数百個以上のドットを含むが,単一ドットの単電子効果に由来する明瞭な電流振動特性を示した.さらに,2つのゲートを用いて単一ドットの電荷状態を制御できた.また,ドットの立体構造の違いによりドットと上下のゲート間の容量比に不均一性が生じることを明らかにした.(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *単一電子トンネル効果 ,  *ナノ構造 ,  アレイ ,  鉄 ,  *電気特性 ,  自己組織化 ,  Coulombブロッケード ,  有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  立体効果 ,  電流変動

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

引用文献 (21件)：

• Y. LeCun, et al., Nature, 521, 436-444 (2015).
• A. Heinzig et al., Nano Lett., 12, 119-124 (2012).
• S. K. Bose, et al., Nat. Nanotechnol., 10, 1048-1052 (2015).
• T. Chen, et al., Nature, 577, 341-345 (2020).
• T. Oya, et al., Jpn. J. Appl. Phys., 59, 040602 (2020).

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  Fe ,  ナノドットアレイ ,  作製 ,  単電子デバイス ,  電気特性