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J-GLOBAL ID：202102257654459085   整理番号：21A0230546

1.8W出力電力を有する高効率GaN HEMT Eバンド電力増幅器MMIC【JST・京大機械翻訳】

High Efficiency GaN HEMT E-Band Power Amplifier MMIC with 1.8W Output Power

著者 (4件)： Xu Peng (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China) ,  Cheng Zhiqun (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China) ,  Zhang ZhiWei (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China) ,  Meng MingWen (Key Lab. of RF Circuit and System, Education Ministry Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICICM  ページ： 130-133  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,60nmのゲート長を有するGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に基づく4段階Eバンド電力増幅器モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を提示した。本提案回路のレイアウトは,Eバンド低周波数(71λ>76GHz)において,25.5%λ≦23dBの小さい信号利得と25.5%≦λ27.5%の電力付加効率(PAE)を示した。12.6dB以上の電力利得と20dB以上の線形電力利得で,32.6dBm(1.8W)以上の飽和出力を達成した。最終段階で約1.4W/mmの出力密度を達成した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  線形性 ,  利得 ,  LF【周波数】 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *MMIC ,  電力付加効率
準シソーラス用語： パワーゲイン ,  *高効率 ,  出力密度 ,  ゲート長 ,  *GaN HEMT ,  *出力電力 ,  *Eバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 出力電力 ,  高効率 ,  GaN ,  HEMT ,  Eバンド ,  電力増幅器 ,  MMIC