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J-GLOBAL ID：202102257884714962   整理番号：21A0552589

化学気相成長法により成膜した大規模連続二硫化モリブデン膜の走査プローブ法による形態評価

Morphological evaluation on large-scale continuous MoS₂ films grown by chemical vapor deposition by scanning probe methods

著者 (3件)： 安藤淳 (国立研究開発法人産業技術総合研究所) ,  久保利隆 (国立研究開発法人産業技術総合研究所) ,  入沢寿史 (国立研究開発法人産業技術総合研究所)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2020  ページ： 261(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 特異的な電気特性より注目されている遷移金属ダイカルコゲナイド等の原子薄膜半導体材料の応用展開への課題の一つである,「大規模連続膜」における電気特性低下の要因になるドメイン境界の制御・低減に向けて,大規模連続二硫化モリブデン膜の形態評価を走査プローブ法で実施した結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *大規模 ,  *膜 ,  *硫化モリブデン ,  *結晶形態 ,  光学顕微鏡法 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微Raman分光法
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  *大規模連続膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 化学気相成長法 ,  成膜 ,  大規模 ,  硫化 ,  モリブデン膜 ,  走査 ,  プローブ ,  形態 ,  評価