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J-GLOBAL ID：202102258394691753   整理番号：21A0166525

RFマグネトロン蒸着n-SiIn_2O_3:Er膜のナノワイヤ構造,光学特性および伝導バンドオフセット【JST・京大機械翻訳】

Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si¥In₂O₃:Er films.

著者 (21件)： Feklistov K V (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Feklistov K V (Academ Infrared LLC, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Lemzyakov A G (Budker Institute of Nuclear Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Prosvirin I P (Boreskov Institute of Catalysis SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Gismatulin A A (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Gismatulin A A (Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Shklyaev A A (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Shklyaev A A (Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Zhivodkov Y A (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Krivyakin G К (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Krivyakin G К (Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Komonov A I (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Kozhukhov А S (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Kozhukhov А S (Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Spesivsev E V (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Gulyaev D V (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Abramkin D S (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Abramkin D S (Novosibirsk State University, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Pugachev A M (Institute of Automation and Electrometry SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Esaev D G (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia) ,  Sidorov G Yu (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS, 630090, Novosibirsk, Russia)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 7  号： 12  ページ： 125903 (11pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマグネトロン蒸着SiIn_2O_3:Er膜は,膜全体に伸びたカラムに束された単結晶ビクスバイトbcc In_2O_3ナノワイヤの構造を有していた。得られた膜は3.55eVの典型的なIn_2O_3光学バンドギャップを持ち,1.54μmのEr3+室温光ルミネセンスを示した。ナノワイヤを通してカラム内の膜流を流れる。中間の低障壁In_2O_3:Er誘電体を有するMOS構造を通る電流を,シリコンにおける部分電圧降下に関して熱電子放出アプローチによって研究した。ショットキープロットln(I/T2)は,小さなバイアスでの順方向電流の1/kTと飽和における後方電流は,0.14eVに等しい電子前方n-SiIn_2O_3:Er障壁と0.21eVに等しい後方In_2O_3:Er障壁を与えた。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  単結晶 ,  電流 ,  光ルミネセンス ,  誘電体 ,  ケイ素 ,  *マグネトロン ,  熱電子放出 ,  膜流 ,  MOS構造 ,  *蒸着 ,  *バンドオフセット ,  光学ギャップ ,  電圧降下 ,  *ナノワイヤ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  マグネトロン ,  蒸着 ,  Er ,  ナノワイヤ ,  光学特性 ,  伝導バンド ,  オフセット