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J-GLOBAL ID：202102259111333860   整理番号：21A0532072

低濃度H_2Sの室温検出のための新型FTO電極上のその場成長およびPt修飾ZnOナノクラスタの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of in-situ grown and Pt-decorated ZnO nanoclusters on new-type FTO electrode for room-temperature detection of low-concentration H₂S

著者 (11件)： Xuan Jingyue (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Zhao Guodong (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Gong Qianqian (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Wang Lili (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Ren Juanjuan (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Sun Meiling (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Zhou Tong (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Xing Fei (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Yin Guangchao (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) ,  Yin Guangchao (School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore 637371, Singapore) ,  Liu Bo (Laboratory of Functional Molecular and Materials, School of physics and optoelectronic engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 860  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,その場成長およびPt修飾ZnOナノクラスタ(NC)ガスセンサを,成長基板としてエッチングFTOガラスおよび容易な浸漬被覆支援水熱経路および物理的混合法によりガス検知電極を用いて作製し,室温で低濃度H_2Sに対して優れたガス検知性能を示した。その場成長により,ZnO NCとFTO電極間の良好なオーム接触が形成され,これは,ガス検知性能を最大化し,センサの安定性を高める。これに基づき,トップ架橋構造を有するZnO NCは,適切な粒界ポテンシャル障壁と自己集合電子経路,ならびにより大きな有効表面積とガス拡散空間を提供できる。さらに,ZnO NC表面上のPtナノ粒子(NP)修飾は,ガス検知試験に対して,より多くの触媒部位および適切なSchottky障壁を導入できる。それらの相乗効果により,その場成長およびPt修飾ZnO NCセンサはH_2Sに対して優れた室温ガス検知挙動を示した。試料の中で,1.5at%Pt修飾ZnO NCセンサは最高の応答値,優れた選択性,再現性及び安定性を有し,ppbレベルでH_2Sの室温検出を達成した。さらに,高温条件下でのガス検知挙動に対するPt修飾の影響およびガス検知性能増強の機構も系統的に調査した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  エッチング ,  結晶粒界 ,  高温 ,  *白金 ,  *酸化亜鉛 ,  相乗作用 ,  活性部位 ,  Ohm接触 ,  自己集合 ,  *ナノクラスタ
準シソーラス用語： *低濃度 ,  白金ナノ粒子 ,  架橋構造 ,  *FTO電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Pt修飾 ,  H_2Sガスセンサ ,  室温 ,  低濃度

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低濃度 ,  室温検出 ,  FTO電極 ,  その場成長 ,  Pt ,  修飾 ,  ZnO ,  ナノクラスタ ,  作製