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J-GLOBAL ID：202102259305228894   整理番号：21A1958869

GaN自己スイッチングダイオードの低温における表面電荷のBias依存性【JST・京大機械翻訳】

Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN Self-Switching Diodes

著者 (5件)： Perez-Martin E. (University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008) ,  Iniguez-de-la-Torre I. (University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008) ,  Gonzalez T. (University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008) ,  Gaquiere C. (Institut d’Electronique de Microe ́lectronique et de Nanotechnologie, University of Lille,Lille,France) ,  Mateos J. (University of Salamanca Plaza de la Merced s/n,Applied physics Department,Salamanca,Spain,37008)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2021  号： CDE  ページ： 90-93  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,半古典的二次元モンテカルロ(MC)シミュレータの助けを借りて,100Kから室温までのAlGaN/GaNヘテロ構造上に作製した自己スイッチングダイオード(SSDs)のDC電流-電圧曲線を研究した。SSDの非常に狭いチャネルのために,表面効果の存在は,それらのDC挙動だけでなく,それらのRF検出性能にも重要な役割を果たす。SSDのエッチング側壁での負の表面電荷密度σの温度による発展は,測定を説明する重要な量である。300Kにおいて,σの一定値を有するMCシミュレーションは,非常に満足のいく実験を再現できた。しかし,低温におけるI-V曲線の形状を再現するためには,σがTだけでなく印加バイアスVにも依存するより現実的なアプローチが必要である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  エッチング ,  シミュレーション ,  *低温 ,  電圧 ,  電流 ,  シミュレータ ,  *スイッチングダイオード ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  バイアス ,  *表面電荷 ,  ヘテロ構造 ,  表面電荷密度 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  自己 ,  スイッチングダイオード ,  低温 ,  表面電荷 ,  依存性