新しい高移動度と深いHOMOレベル正孔輸送層を有する良好な電荷平衡反転赤色InP/ZnSe/ZnS量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Yeom Ji Eun; Shin Dong Hyun; Lampande Raju; Jung Young Hun; Mude Nagarjuna Naik; Park Jung Hwan; Kwon Jang Hyuk

文献

J-GLOBAL ID：202102259842525476 整理番号：21A0033398

新しい高移動度と深いHOMOレベル正孔輸送層を有する良好な電荷平衡反転赤色InP/ZnSe/ZnS量子ドット発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Good Charge Balanced Inverted Red InP/ZnSe/ZnS-Quantum Dot Light-Emitting Diode with New High Mobility and Deep HOMO Level Hole Transport Layer

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資料名：
巻： 5 号： 12 ページ： 3868-3875 発行年： 2020年
JST資料番号： W5040A ISSN： 2380-8195 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ここでは,新しい高移動度と深いHOMO準位正孔輸送層(HTL)と最適化ゾル-ゲルZnMgO層を用いた,効率的で安定なリン化インジウム(InP)ベースの反転赤色量子ドット発光ダイオード(QLED)を報告する。剛直なジベンゾチオフェンと第三アミンユニットを含む新しい正孔輸送材料,DBTAを,InP-QDにより速く注入する正孔移動度と深いHOMOレベルを有するように設計した。また,ZnMgO NPの電子輸送特性を低下させるために,最適マグネシウム含有量(17%),低温アニーリング(180°C),および自己時効プロセスを有するゾル-ゲルZnMgO層を透明電極に使用した。高移動度DBTAと自己時効プロセスを有する最適化ゾル-ゲルZn_0.83Mg_0.17O層は,InP-QLEDにおける良好な電荷バランスを達成し,非放射損失を抑制するのに責任がある。DBTAと最適化されたゾル-ゲルZn_0.83Mg_0.17Oを有する製作したQLEDは,21.8%の外部量子効率,23.4cd/Aの電流効率,および1000cd/m2での1095時間の運転寿命(LT_50)を示した。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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発光素子

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