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J-GLOBAL ID：202102260340863512   整理番号：21A0697619

強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS₂の実現

Bright monolayer MoS₂ via spontaneous formation of superacid ultra thin film

著者 (7件)： 山田悠貴 (大阪府大 工) ,  吉村武 (大阪府大 工) ,  芦田淳 (大阪府大 工) ,  藤村紀文 (大阪府大 工) ,  篠北啓介 (京大 エネ研) ,  松田一成 (京大 エネ研) ,  桐谷乃輔 (大阪府大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11a-Z29-5  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】単層のMoS2は3原子分の厚み(約0.7nm)を有する、直接遷移型の半導体であることから光学デバイスへの応用展開が期待されている。しかし、多量の硫黄欠陥を原因とする発光量子収率の低下(<1%)がデバイス応用の弊害となっている。近...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  紫外線 ,  *発光 ,  半導体 ,  光ルミネセンス ,  陽子 ,  量子収量 ,  歩留り ,  二酸化ケイ素 ,  硫黄 ,  化学蒸着 ,  *超薄膜 ,  発光強度 ,  直接遷移 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強酸 ,  極薄膜 ,  単層 ,  MoS2