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J-GLOBAL ID：202102261175971888   整理番号：21A0668095

HfO_2とSiN_xゲート誘電体を持つAlGaN/GaN MIS-HEMTにおける界面特性の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Interface Properties in AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO₂ and SiN_x Gate Dielectric

著者 (6件)： Huang Zhi (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China) ,  Liu Jianhua (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China) ,  Huang Xiaoming (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China) ,  Yao Jiafei (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China) ,  Zhang Jun (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China) ,  Guo Yufeng (Nanjing University of Posts and Telecommunications,College of Electronic and Optical Engineering & College of Microelectronics,Nanjing,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICPES  ページ： 549-552  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,HfO_2とSiN_xゲート誘電体を有するAlGaN/GaNMIS-HEMTの電気信頼性を調べた。SiN_xゲート誘電体を有するデバイスはHfO_2ゲート誘電体を有するデバイスよりも高い電気的安定性を示し,正のゲートバイアスストレス温度(PBST)下で低い閾値電圧ドリフト(ΔV_th)を示した。一方,HfO_2とSiN_xゲート誘電体を有するデバイスに対する平均有効界面障壁エネルギー(E_τ)は0.49eVと1.03eVであった。対応して,HfO_2ゲート誘電体を有するデバイスと比較して,SiN_xゲート誘電体を有するデバイスは,障壁/ゲート誘電体界面にトラップされたチャネルキャリアが低く,これはPBSTの下でSiN_xゲート誘電体を有するAlGaN/GaNMIS-HEMTの高い電気的安定性と一致する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  信頼性 ,  ドリフト ,  チャネル ,  *HEMT ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  界面特性 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート誘電体 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  界面特性 ,  解析