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J-GLOBAL ID：202102263381420983   整理番号：21A2041507

高アイソレーション複合バッファ層設計によるSi RF HEMT上の6インチGaNの特性【JST・京大機械翻訳】

The Characteristics of 6-Inch GaN on Si RF HEMT with High Isolation Composited Buffer Layer Design

著者 (7件)： Huang Chong-Rong (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Liu Chia-Hao (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Wang Hsiang-Chun (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chiu Hsien-Chin (Department of Electronics Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chen Chih-Tien (National Chung-Shan Institute of Science and Technology, Materials and Electro-Optics Research Division, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Chang Kuo-Jen (National Chung-Shan Institute of Science and Technology, Materials and Electro-Optics Research Division, Taoyuan 333, Taiwan)
資料名： Electronics (Web)  (Electronics (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 46  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7178A  ISSN： 2079-9292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二次元電子ガスチャネルとFeドープ/Cドープバッファ層間のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタに50nmAl_0.05Ga_0.95N背面障壁(BB)層を用いた。このBB層はチャネル層を減少させることができる。BB層はバッファ層中のドープキャリアとチャネルとバッファ層間の伝導エネルギーバンドによって影響を受ける。BBデバイスのイオン/Ioff比は4.66105であり,BBのないデバイスの比は1.91103であった。より低い漏れ電流が,より高い伝導エネルギーバンドのためにBBデバイスで得られた。BBを有する0.25mゲート長デバイスは,24.4GHzの高い電流利得カットオフ周波数と73GHzの電力利得カットオフ周波数を示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  ドーピング ,  漏れ電流 ,  遮断周波数 ,  *窒化ガリウム ,  チャネル ,  *HEMT ,  二次元電子ガス ,  *バッファ層
準シソーラス用語： エネルギー帯 ,  ゲート長 ,  電流利得 ,  AlGaN/GaN ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： バックバリア(BB)層 ,  伝導帯エネルギー ,  電流利得(f_T) ,  パワーゲイン(f_max)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• Zhao, D.; Zhao, D. Analysis of the growth of GaN epitaxy on silicon. J. Semicond. 2018, 39, 033006.
• Lee, J.H. High Figure-of-Merit (V2BR/RON) AlGaN/GaN Power HEMT with Periodically C-Doped GaN Buffer and AlGaN Back Barrier. J. Electron. Devices Soc. 2018, 2018, 1179-1186.
• Chiu, H.; Chen, S. AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on silicon substrates with various Fe doping concentrations in the buffer layers. Microelectron. Reliab. 2018, 83, 238-241.
• Jia, Y.; Xu, Y.; Lu, K.; Wen, Z.; Huang, A.D.; Guo, Y.X. Characterization of Buffer-Related Current Collapse by Buffer Potential Simulation in AlGaN/GaN HEMTs. IEEE Trans. Electron. Devices 2018, 65, 3169-3175.
• Murugapandiyan, P.; Ravimaran, S.; William, J. 30 nm T-gate enhancement-mode InAlN/AlN/GaN HEMT on SiC substrates for future high power RF applications. J. Semicond. 2017, 38, 084001.

タイトルに関連する用語 (7件)： アイソレーション ,  バッファ層 ,  設計 ,  Si ,  RF ,  HEMT ,  GaN