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J-GLOBAL ID：202102263465520715   整理番号：21A2123089

高出力半導体レーザアレイチップのテストとシミュレーションの最適化【JST・京大機械翻訳】

Testing Characterization and Simulating Optimization of High-power Laser Diode Array Chips

著者 (10件)： Du Yuqi (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Wang Zhenfu (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119) ,  Zhang Xiaoying (陜西省計量科学研究院, 陜西 西安 710100) ,  Yang Guowen (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119) ,  Li Te (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119) ,  Liu Yuxian (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Li Bo (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Chang Yidong (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Zhao Yuliang (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049) ,  Lan Yu (中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬態光学与光子技術国家重点実験室,陜西 西安 710119;中国科学院大学, 北京 100049)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 42  号： 5  ページ： 674-681  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高出力半導体レーザチップの作動温度が上昇すると,チップ性能劣化と故障問題を引き起こし,内部量子効率に及ぼす動作温度の影響機構を理論的に解析した。次に,チップ安定性に影響する主な要因を定量化し,高電力半導体レーザアレイチップの試験システムを構築し,1560°Cの半導体レーザアレイチップの温度特性を研究し,5種類のエネルギー損失分布及び温度の変化傾向を解析した。実験結果は,温度が15°Cから60°Cに上昇すると,キャリア漏れ損失が2.30%から11.36%に急激に上昇し,半導体レーザチップの高温での光電変換効率の低下をもたらす主な要因であることを示した。最後に、エピタキシャル構造のシミュレーション最適化を行い、シミュレーション結果により、導波路層のAl成分が20%まで上がると、キャリアの漏れを有効に制限でき、Al成分の増加による直列抵抗の増大問題を有効に制限することができ、高効率の出力が得られることが分かった。この研究は,半導体レーザチップの設計に重要な指針を提供する。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  エピタクシー ,  高温 ,  *最適化 ,  *シミュレーション ,  *半導体レーザ ,  故障 ,  アルミニウム ,  導波路
準シソーラス用語： 高効率 ,  直列抵抗 ,  内部量子効率 ,  光電変換効率 ,  高電力 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  半導体レーザアレイ ,  テスト ,  シミュレーション ,  最適化