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J-GLOBAL ID：202102263913135300   整理番号：21A0515228

全固体スーパーキャパシタのための新しいNi_3Si_2/NiOOH/グラフェンナノ構造の優れた擬容量貯蔵【JST・京大機械翻訳】

Superior Pseudocapacitive Storage of a Novel Ni3Si2/NiOOH/Graphene Nanostructure for an All?Solid?State Supercapacitor

著者 (7件)： Jing Ning (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Maoyang Xia (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Dong Wang (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Xin Feng (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Hong Zhou (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Jincheng Zhang (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN) ,  Yue Hao (THE STATE KEY DISCIPLINE LABORATORY OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN SHAANXI JOINT KEY LABORATORY OF GRAPHENE, XIDIAN UNIVERSITY, XI’AN)
資料名： Nawei Kuaibao (Yingwen)  (Nawei Kuaibao (Yingwen))
巻： 13  号： 1  ページ： 15-28  発行年： 2021年 
JST資料番号： C4165A  ISSN： 2311-6706  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン系構造の合成における最近の発展は,多孔性ナノ構造の連続的改良,薄膜のドーピング,および三次元構造の構築のための機構に焦点を合わせる。ここでは,低圧全固体溶融再構成化学蒸着により,クリープ状Ni_3Si_2/NiOOH/グラフェンナノ構造を合成した。炭素リッチ雰囲気中では,高エネルギー原子はNiとSi表面を衝突させ,固体Ni-Si粒子の熱力学的平衡における自由エネルギーを低下させ,Ni-Siナノ結晶の成長をかなり触媒する。炭素源含有量を制御することで,高い結晶性と良好な均一性を有するNi_3Si_2単結晶を安定して合成した。電気化学的測定は,ナノ構造が1A g-1で835.3C g-1(1193.28F g-1)の超高比容量を示した;全固体スーパーキャパシタとして統合すると,750W kg-1で25.9Wh kg-1という高いエネルギー密度が得られ,これは,大きな比表面積とNiOOHを与える自立Ni_3Si_2/グラフェン骨格に起因し,アルカリ溶液中の電極表面上の絶縁を阻害し,それによって,電子交換速度を加速する。高性能複合ナノ構造の成長は簡単で制御可能であり,大規模生産とマイクロエネルギー貯蔵デバイスの応用を可能にする。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： クリープ ,  単結晶 ,  *ケイ素 ,  *ニッケル ,  *電力コンデンサ ,  ドーピング ,  結晶度 ,  エネルギー密度 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  *ナノ構造 ,  ナノ結晶 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 炭素源 ,  *スーパーキャパシタ ,  *全固体 ,  比容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 全固体 ,  スーパーキャパシタ ,  グラフェン ,  ナノ構造 ,  貯蔵