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J-GLOBAL ID：202102264512891966   整理番号：21A0149989

インライン計測のための波面位相イメージングを用いたシリコンウエハ上の高速ウエハ形状【JST・京大機械翻訳】

High Speed Wafer Geometry on Silicon Wafers Using Wave Front Phase Imaging for Inline Metrology

著者 (3件)： Trujillo-Sevilla J.M. (Wooptix La Laguna,Tenerife,Spain) ,  Ramos-Rodriguez J.M. (Wooptix La Laguna,Tenerife,Spain) ,  Gaudestad J. (Wooptix La Laguna,Tenerife,Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコンウエハ上のウエハ形状を測定するための新しい計測技術を紹介した。ウエハ形状は,リソグラフィーオーバーレイの改善のための次世代集積回路(IC)に重要であり,化学機械研磨(CMP)と共にナノトポグラフィー(NT)と粗さを測定する。波面位相画像(WFPI)は,高い横方向分解能を持ち,全ウエハの単一画像スナップショットを単純に取得することによって,シリコンウエハ上のNTと粗さを測定するのに十分な感度を持つ。WFPIは,同じ視野の光学経路に沿った2つの異なる平面での単色非コヒーレント光からの反射光強度を測定することによって達成される。電流システムにおける横方向分解能は24μmであり,画像センサにより多くの画素を単純に追加することによって5μm以下に押し出すことができる。また,振幅分解能限界が0.3nmであることを示した。最初に,既知の形状を有する50mmブランクウエハをシミュレートする3ミラーを用いて,WFPIを工業標準色共焦点顕微鏡と比較した。次に,2インチウエハを測定し,一方,それとNTと粗さをチャッキングすることなくフラット試料ホルダーに置いて,グローバル地形データに二重Gauss高パスフィルタを適用することにより,粗さを明らかにした。曝露時間は0.1秒であり,データを分析する時間は,4.34百万の地形データポイントを処理する間,ちょうど2秒であった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  電流 ,  分解能 ,  インコヒーレント光 ,  画素 ,  リソグラフィー ,  *波面 ,  イメージセンサ ,  共焦点顕微鏡 ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  スナップショット ,  位相画像 ,  単色 ,  *位相イメージング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： インライン ,  計測 ,  波面 ,  位相イメージング ,  シリコンウエハ ,  ウエハ