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J-GLOBAL ID：202102264737558535   整理番号：21A0182075

選択的フォトニック不活性化によるSn-Pbバイナリー取り込みにより可能となった無機ペロブスカイト/a-InGaZnOフォトトランジスタの増強された電気光学性能【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Electro-Optical Performance of Inorganic Perovskite/a-InGaZnO Phototransistors Enabled by Sn-Pb Binary Incorporation with a Selective Photonic Deactivation

著者 (6件)： Jo Chanho (Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea) ,  Lee Seojun (School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea) ,  Kim Jaehyun (Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea) ,  Heo Jae Sang (Department of Medicine, University of Connecticut School of Medicine, Connecticut, United States) ,  Kang Dong-Won (School of Energy Systems Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea) ,  Park Sung Kyu (Department of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 52  ページ： 58038-58048  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイトを用いたオプトエレクトロニック応用は,フォトトランジスタ,太陽電池および光検出器のような最も有望なプラットフォームの1つとして浮上している。しかし,高性能で信頼性のあるペロブスカイトフォトニックデバイスは,信頼できるデバイスアーキテクチャの実現のための適切な処理技術の欠如と共に,ペロブスカイト系の限られたスペクトル範囲によってしばしば妨げられる。ここでは,Sn-Pb二元混合ハロゲン化物ペロブスカイト(CsSn_0.6Pb_0.4I_2.6Br_0.4)光吸収体と非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)電荷担持層のヘテロ接合を有するハイブリッド光トランジスタを調べた。Sn-Pb二元成分を全無機塩基に組み込むことにより,増強された安定性を有する光吸収スペクトル範囲の広がりが達成され,これは,デバイスの高いオフ電流を誘発する,不可避の高度に増加した伝導率を示した。したがって,選択的紫外線(UV)照射電気的不活性化(SUED)プロセスを実行し,信頼できるデバイス構造で高オフ電流を抑制した。特に,選択的UV照射は,特定のペロブスカイト領域における化学構造の酸化と歪みを促進でき,光トランジスタのゲートバイアス変調を,オン/オフ電流比が約103から~106に増大させることを示した。最後に,SUED処理フォトトランジスタは,8.0×104まで3桁以上の光感度の改善を示し,良好なオン/オフスイッチング挙動で,可視から近赤外(NIR)光(860nm)までのスペクトル範囲で検出された。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  紫外線 ,  太陽電池 ,  電荷 ,  電流 ,  光検出器 ,  紫外線照射 ,  *フォトトランジスタ ,  非晶質 ,  スペクトル ,  素子構造 ,  近赤外線 ,  光吸収スペクトル ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： フォトニックデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無機ペロブスカイト ,  Sn-Pb二元系 ,  a-IGZO ,  光トランジスタ ,  フォトニック不活性化

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 不活性化 ,  Sn ,  Pb ,  バイナリー ,  取り込み ,  ペロブスカイト ,  フォトトランジスタ ,  増強 ,  光学性能