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J-GLOBAL ID：202102265338467147   整理番号：21A1620353

MgドープGa_0.75Al_0.25N(0001)表面の光電子特性に及ぼす残留ガスの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of residual gas on the optoelectronic properties of Mg-doped Ga_0.75Al_0.25N (0 0 0 1) surface

著者 (8件)： Fang Qianglong (Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China) ,  Shen Yang (Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China) ,  Yang Xiaodong (Key Laboratory of Ecophysics and Department of Physics, Shihezi University, Xinjiang 832003, China) ,  Yang Xiaodong (School of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Shuqin (Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China) ,  Chen Liang (Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China) ,  Duan Lingze (Department of Physics, The University of Alabama in Huntsville, Huntsville, AL 35899, USA) ,  Jin Shangzhong (Institute of Optoelectronics Technology, China Jiliang University, Hangzhou 310018, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 551  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgドープGa_1-xAl_xN(0001)表面に吸着した残留ガス分子(H_2,CH_4,CO,H_2OおよびCO_2)の効果を検証するために,吸着系の光電子特性を計算した。第一原理計算により,表面吸着エネルギー,仕事関数,双極子モーメント,Fermiおよび真空レベル,エネルギーバンド,状態密度および吸収係数を解析した。計算結果は,CO,H_2O,およびCO_2分子の吸着モデルがすべて物理的に安定な構造であることを示した。しかし,H_2とCH_4の吸着は,室温では安定ではない。CO_2分子はカソード表面に最も容易に付着し,仕事関数を著しく増大させる。残留ガスはカソード表面により発生した電子の一部を捕獲し,次にカソード表面から残留ガス分子への双極子モーメント配向を生成する。さらに,残留ガス吸着システム上でエネルギーバンドのわずかな変化が観測された。軌道運動により,いくつかの新しいエネルギーレベルも,深いエネルギーバンドで発生した。さらに,CO,H_2OおよびCO_2分子の吸着も,吸収係数に対して顕著な効果を示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  吸収係数 ,  吸着 ,  仕事関数 ,  双極子モーメント ,  真空度 ,  *ドーピング ,  *残留ガス ,  状態密度 ,  *光電子 ,  カソード ,  エネルギー帯 ,  第一原理計算 ,  吸着モデル ,  表面吸着

著者キーワード (5件)： Ga_1-xAl_xN(0001)表面 ,  第一原理 ,  残留ガス ,  仕事関数 ,  吸着

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  ドープ ,  光電子 ,  残留ガス