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J-GLOBAL ID：202102266159507343   整理番号：21A0545612

高周波マグネトロンスパッタリングによりガラス基板上に成長させたEuドープYVO_4薄膜の特性【JST・京大機械翻訳】

Properties of Eu-doped YVO₄ thin films grown on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering

著者 (1件)： Cho Shinho (Division of Materials Science and Engineering, Silla University, Busan, Republic of Korea)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 127  号： 3  ページ： 161  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YVO_4:Eu3+蛍光体薄膜の構造的,形態的およびルミネセンス特性に及ぼす基板温度の影響を,X線回折,電界放出走査電子顕微鏡,光ルミネセンス分光法および紫外-可視分光光度法を用いて調べた。YVO_4:Eu3+薄膜を,基板温度25~400°Cで高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板上に成長させた。すべての薄膜は強い(200)優先配向を示した。光透過率スペクトルは400~1100nmの範囲で86.5%以上の平均透過率を示した。基板温度に関係なく,542,598,622,656および705nmに中心を持つ5つの発光バンドを,すべての薄膜に対して観察した。最大励起と発光スペクトルを400°Cの基板温度で観察した。バンドギャップエネルギーの赤方偏移が基板温度の増加と共に観測された。5D_0→7F_2(622nm)電気双極子遷移からの赤色発光の強度は,5D_0→7F_1(598nm)磁気双極子遷移によるオレンジ発光のそれよりも強く,反転対称性のないサイトにおけるより多くのEu3+イオンの存在を示した。したがって,基板温度は,固体照明およびエレクトロルミネセンスデバイスのための赤色発光YVO_4:Eu3+薄膜の成長において,重要な役割を果たす。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  赤方偏移 ,  *薄膜 ,  発光 ,  発光スペクトル ,  光ルミネセンス ,  ルミネセンス ,  励起 ,  *ドーピング ,  透過率 ,  優先配向 ,  基板温度
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *ガラス基板 ,  赤色発光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： スパッタリング ,  薄膜 ,  希土類 ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  ガラス基板 ,  成長 ,  Eu ,  ドープ ,  薄膜