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J-GLOBAL ID：202102266524245550   整理番号：21A0696089

p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体:第一原理計算と3次元アトムプローブ解析によるアプローチ

Conversion from p-type GaN to n-type by Complexes of Screw Dislocations and Mg: First-principles Calculation and Atom Probe Tomography Analysis

著者 (16件)： 原嶋庸介 (名大 未来研) ,  中野崇志 (名大 院) ,  長川健太 (名大 未来研) ,  白石賢二 (名大 未来研) ,  白石賢二 (名大 院) ,  押山淳 (名大 未来研) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (名大 未来研) ,  宇佐美茂佳 (名大 院) ,  間山憲仁 (東芝ナノアナリシス) ,  戸田一也 (東芝ナノアナリシス) ,  田中敦之 (名大 未来研) ,  本田善央 (名大 未来研) ,  本田善央 (名大 院) ,  天野浩 (名大 未来研) ,  天野浩 (名大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z02-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaNはパワー半導体デバイス材料として高いポテンシャルを持つ化合物であるが、欠陥が生じないように結晶成長させることが難しく、そのポテンシャルを発揮するためには欠陥のような特異構造の物性の理解および制御が重要である。特に基板から引き継がれる貫...【本文一部表示】

シソーラス用語： 超格子 ,  結晶成長 ,  ダイオード ,  ドナー ,  半導体 ,  不純物 ,  *ガリウム ,  *マグネシウム ,  伝導バンド ,  漏れ電流 ,  *複合体 ,  *螺旋転位 ,  *窒化ガリウム ,  貫通転位
準シソーラス用語： *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  らせん転位 ,  Mg ,  複合体 ,  第一原理計算 ,  3次元アトムプローブ ,  解析