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J-GLOBAL ID：202102266528485981   整理番号：21A0577200

デバイス構造に依存するトンネル電界効果トランジスタにおける仕事関数変動効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Work-Function Variation Effects in a Tunnel Field-Effect Transistor Depending on the Device Structure

著者 (4件)： Kim Garam (Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin 17058, Korea) ,  Kim Jang Hyun (School of Electrical Engineering, Pukyong National University, 45 Yongso-ro, Nam-gu, Busan 608-737, Korea) ,  Kim Jaemin (Department of Electronic Engineering, Myongji University, Yongin 17058, Korea) ,  Kim Sangwan (Department of Electrical and Computer Engineering, Ajou University, Suwon 16499, Korea)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 10  号： 15  ページ： 5378  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ゲート技術はトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の低電流を増加させるのに使用される最も重要な方法の1つである。しかし,金属ゲートは堆積過程中に各結晶粒に対して異なる仕事関数を持ち,仕事関数変化(WFV)効果をもたらし,電気特性がデバイスからデバイスに変化することを意味した。平面TFET,二重ゲート(DG)TFET,および電子正孔二重層TFET(EHBTFET)のWFVを,デバイス構造の影響を分析し,TFETにおけるWFV効果を抑制するための戦略を見つけるために,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションによって調べた。ターンオン電圧(Vターン-on)分布によるWFV効果を比較して,平面TFETは20.1mVの最大標準偏差(Vターン-on)を示し,それはDG TFETで26.4%,EHBTFETで80.1%減少した。金属粒分布とエネルギーバンド図に関する解析に基づいて,TFETのWFVをトンネル電流に含まれる金属粒の数によって決定した。従って,主ゲートとサブゲートオーバラップの全ての金属粒子によってトンネル電流を決定することができるEHBTFETは,TFETのWFV効果を低減できる有望な構造であると考えられる。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  電流 ,  CAD【計算機】 ,  標準偏差 ,  *素子構造 ,  結晶粒 ,  電気特性
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  メタルゲート ,  トンネル電流 ,  TCAD ,  ターンオン電圧 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： トンネル電界効果トランジスタ(TFET) ,  仕事関数変動(WFV) ,  電子-正孔二層TFET(EHBTFET)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (54件)：

• Lundstrom, M. Device physics at the scaling limit: What matters?[MOSFETs]. In Proceedings of the International Electron Device Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, 8-10 December 2003.
• Frank, D.J.; Dennard, R.H.; Nowak, E.; Solomon, P.M.; Taur, Y.; Wong, H.S.P. Device scaling limits of Si MOSFETs and their application dependencies. Proc. IEEE 2001, 89, 259-287.
• Cheung, K.P. On the 60 mV/dec @ 300 K limit for MOSFET subthreshold swing. In Proceedings of the International Symposium on VLSI Technology, System and Application, Hsin Chu, Taiwan, 26-28 April 2010.
• Li, K.-S.; Chen, P.-G.; Lai, T.-Y.; Lin, C.-H.; Cheng, C.-C.; Chen, C.-C.; Wei, Y.-J.; Hou, Y.-F.; Liao, M.-H.; Lee, M.-H. Sub-60mV-swing negative-capacitance FinFET without hysteresis. In Proceedings of the International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, 7-9 December 2015.
• Lin, C.-I.; Khan, A.I.; Salahuddin, S.; Hu, C. Effects of the variation of ferroelectric properties on negative capacitance FET characteristics. IEEE Trans. Electron Devices 2016, 63, 2197-2199.

タイトルに関連する用語 (4件)： デバイス構造 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  仕事関数 ,  解析