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J-GLOBAL ID：202102266587143337   整理番号：21A0182030

高圧アニーリングプロセスと組み込みBias工学による優れた信頼性と高速反強誘電性HfZrO_2トンネル接合【JST・京大機械翻訳】

Excellent Reliability and High-Speed Antiferroelectric HfZrO₂ Tunnel Junction by a High-Pressure Annealing Process and Built-In Bias Engineering

著者 (3件)： Goh Youngin (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea) ,  Hwang Junghyeon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea) ,  Jeon Sanghun (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 51  ページ： 57539-57546  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハフニアベースの強誘電体トンネル接合(FTJ)は,それらの相補的な金属-オキシド-半導体プロセス適合性,低い電力消費,高いスケーラビリティ,および非破壊読出しのため,不揮発性メモリの論理での使用に大きな可能性を有する。しかし,典型的には,強誘電体は脱分極場を持ち,初期の絶縁破壊のため,貧弱な耐久性をもたらす。ここでは,次世代不揮発性メモリ応用の有望な候補であるかどうかを理解するために,極めて信頼できて高速の反強誘電性HfZrOトンネル接合(AFTJ)を調べた。高い信頼性AFTJは,低い脱分極場によるより少ない電荷注入によって説明できる。非対称仕事関数電極と固定酸化物電荷が採用されると,2つの安定な不揮発性状態の形成が可能で,これは,ビルトインバイアスを生成し,分極-電圧曲線をシフトさせる。さらに,高圧アニーリングにより,t相からo相への転移を決定する臨界電圧は効果的に減少した(22%)。AFTJは,FTJより高い耐久特性(>109サイクル)とより速いスイッチング速度(<30ns)を示した。したがって,内部バイアス変調と高圧アニーリングの助けを借りて,AFTJを次世代メモリデバイスで採用できることを提案した。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  仕事関数 ,  *焼なまし ,  絶縁破壊 ,  電荷 ,  分極 ,  酸化物 ,  電力消費 ,  *反強誘電性 ,  脱分極 ,  非対称性 ,  *トンネル接合 ,  キャリア注入 ,  不揮発性メモリ ,  半導体プロセス

著者キーワード (5件)： 反強誘電体 ,  HfZrO ,  トンネル接合 ,  不揮発性 ,  信頼性

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高圧 ,  アニーリング ,  プロセス ,  組み込み ,  工学 ,  反強誘電性 ,  トンネル接合