文献

J-GLOBAL ID：202102266999661560   整理番号：21A0697715

トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価

Characterization of physically defined silicon quantum dot with tunnel-coupled charge sensor

著者 (7件)： 溝口来成 (東京工大) ,  西山伸平 (東京工大) ,  西山伸平 (産業技術総合研) ,  加藤公彦 (産業技術総合研) ,  LIU Yongxun (産業技術総合研) ,  森貴洋 (産業技術総合研) ,  小寺哲夫 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z09-8  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Silicon-on-insulator基板をエッチングすることで形成された物理形成シリコン量子ドット(Si-PDQD)は、ゲート数の少なさとQD配置の自由度からスピン量子ビットの集積化に向けて有望な系であると考えられる。このPDQDを用い...【本文一部表示】

シソーラス用語： *電荷 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  反射率 ,  *ケイ素 ,  LC回路 ,  自由度 ,  キャラクタリゼーション ,  高感度 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 量子ビット ,  ゲート電圧 ,  荷電状態 ,  *電荷センサ ,  静電結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： トンネル ,  電荷センサ ,  物理 ,  シリコン ,  量子ドット ,  特性評価