文献

J-GLOBAL ID：202102267462053213   整理番号：21A1683616

C注入構造のSiO_2/Si界面へのSiO_2におけるC移動の証拠【JST・京大機械翻訳】

Evidence of C migration in the SiO₂ to the SiO₂/Si interface of C-implanted structures

著者 (3件)： Ribas E. (Instituto de Fisica, Laboratorios de Microeletronica e Implantacao Ionica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Porto Alegre, 91501-970, RS, Brazil) ,  Ribas E. (Instituto Federal Sul-rio-grandense (IFSul), Charqueadas, 96745-000, RS, Brazil) ,  Maltez R.L. (Instituto de Fisica, Laboratorios de Microeletronica e Implantacao Ionica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Porto Alegre, 91501-970, RS, Brazil)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 730  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40keVのC+イオンをSiO_2/Si(001)構造(600°Cで保持した試料)に2.8×1017cm-2まで注入し,SiO_2厚さ110,190および240nmとした。続いて,99%Arと1%O_2のフラックス下で1250°Cで焼なました。その後,SiO_2/Si界面近くのSi側まで全SiO_2に沿ったC濃度を弾性コイル検出分析(ERDA)により測定した。約35nmの狭い深さ窓内でC-再コイルを探し,その結果,ERDAとSiO_2キャップの逐次エッチング段階の組み合わせ手順を行った。各エッチングステップの後,酸化物の30nmを除去して,拡張と強度(標準試料に関して)の両方で正規化結果を計算した。110nmの場合のC分布プロフィルは,SiO_2(110nm)/SiC(55nm)/Si(バルク)構造への注入CのSRIM(Matter of Matter)シミュレーションと一致した。190nmの場合,測定したCはSiO_2/Si界面に対してλ>40nmのシフトを示し,キャップ層の中間からSiO_2/Si界面まで系統的な濃度増加を示す。しかし,SRIMシミュレーションによれば,C濃度は界面に近づくと減少すると考えられた。240nmのSiO_2-キャップでは,SiO_2/Si界面に対して,シミュレーションに関連して,π→50nmのピークシフトを示した。その結果,SiO_2/Si界面は,界面から約50nmの捕獲範囲内でCを効率的に誘引することが分かった。SiO_2/Si界面へのSiO_2のこのCピークシフトは,SiO_2に溶解されたC,SiまたはOとの結合,あるいはC-C錯体との結合を形成する拡散モデルと整合するだけであったが,SiC析出とは一致しない。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  *界面 ,  シミュレーション ,  *ケイ素 ,  弾性 ,  炭化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  捕獲 ,  正規化
準シソーラス用語： キャップ層 ,  拡散モデル ,  ピークシフト ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 炭素 ,  イオン注入 ,  拡散 ,  二酸化ケイ素 ,  シリコン ,  炭化ケイ素合成 ,  弾性反跳検出解析 ,  透過Electron顕微鏡法

分類 (5件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  Si ,  界面 ,  証拠