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J-GLOBAL ID:202102268105350361   整理番号:21A2170257

外部印加電場と磁場におけるアブレーション【JST・京大機械翻訳】

Ablation in Externally Applied Electric and Magnetic Fields
著者 (12件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 182  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7252A  ISSN: 2079-4991  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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ナノ/ミクロスケールでの光-物質相互作用を利用するためには,制御のためのより良いツールを開発する必要がある。ここでは,外部電気および/または磁場の適用により,超短(サブ1ps)レーザパルス照射下のSiおよびガラスのアブレーションはLorentz力F=e E+e[v B]により制御でき,ここでvは電荷e,Eは印加電気バイアスおよびBは磁束密度である。外部電気E場を,入射レーザビームの空気ギャップを有するガラス基板上の懸濁マイクロ電極を用いたレーザアブレーション中に適用した。Si表面の対面Al電極を用いてSi上のデブリ形成パターンを調べた。ガラスとSiアブレーションの場合,デブリは負極に向かって優先的に析出した。また,外部磁場を,異なる形状におけるSiのレーザアブレーション中に適用し,リップル形成に影響を及ぼすことを示した。磁場有りと無しのアブレーション領域の化学分析は,シンクロトロン近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)測定によって明らかにされた強い化学的差異を示した。Lorentz力のベクトル的性質のハーネスは,外部E-/B-場における表面改質とデブリ形成の適用可能性を広げる。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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レーザ照射・損傷 
引用文献 (43件):
  • Shimotsuma, Y.; Kazansky, P.; Qiu, J.; Hirao, K. Self-organized nanogratings in glass irradiated by ultrashort light pulses. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 247405.
  • Umran, F.A.; Liao, Y.; Elias, M.M.; Sugioka, K.; Stoian, R.; Cheng, G.; Cheng, Y. Formation of nanogratings in a transparent material with tunable ionization property by femtosecond laser irradiation. Opt. Express 2013, 21, 15259-15267.
  • Ozkan, A.; Malshe, A.; Railkar, T.; Brown, W.; Shirk, M.; Molian, P. Femtosecond laser-induced periodic structure writing on diamond crystals and microclusters. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3716.
  • Das, S.K.; Messaoudi, H.; Debroy, A.; McGlynn, E.; Grunwald, R. Multiphoton excitation of surface plasmon-polaritons and scaling of nanoripple formation in large bandgap materials. Opt. Mater. Express 2013, 3, 1705-1715.
  • Davis, K.M.; Miura, K.; Sugimoto, N.; Hirao, K. Writing waveguides in glass with a femtosecond laser. Opt. Lett. 1996, 21, 1729-1731.
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