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J-GLOBAL ID：202102269007152902   整理番号：21A0696314

p-MnTe/n-AZO積層構造素子のメモリ動作性

著者 (4件)： 金美賢 (東北大 工) ,  森竣祐 (東北大 工) ,  安藤大輔 (東北大 工) ,  須藤祐司 (東北大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8p-Z26-8  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 相変化メモリ(Phase change random access memory, PCRAM)は,次世代型不揮発性メモリの一種であり,ジュール熱による可逆的な相変化に伴う大きな電気抵抗差を利用して情報を記録する.将来的には,低エネルギー動...【本文一部表示】

シソーラス用語： PN接合 ,  *記憶装置 ,  相転移 ,  電気抵抗率 ,  電流 ,  薄膜 ,  *テルル ,  *マンガン ,  記憶素子 ,  非晶質 ,  カルコゲン化物 ,  α相 ,  β相 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (2件)： Azo ,  構造素子