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J-GLOBAL ID：202102271409558844   整理番号：21A0696752

Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の高温動作に関する検討

Study on High-Temperature Operation of Electro-Absorption Optical Modulator, Using Ge/Si Rib Waveguide

著者 (18件)： 藤方潤一 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  野口将高 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  JEONG Seok-Hwan (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  太繩陽介 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  太繩陽介 (沖電気工業) ,  志村大輔 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  志村大輔 (沖電気工業) ,  川下和樹 (豊橋技科大) ,  片廻陸 (豊橋技科大) ,  小野英輝 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  小野英輝 (沖電気工業) ,  岡山英彰 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  岡山英彰 (沖電気工業) ,  高橋博之 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  高橋博之 (沖電気工業) ,  八重樫浩樹 (技術研究組合 光電子融合基盤技研) ,  石川靖彦 (豊橋技科大) ,  中村隆宏 (技術研究組合 光電子融合基盤技研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z19-5  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに.Siフォトニクス技術とCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)電子回路技術を融合し,低消費電力で超高密度の信号伝送を実現する光電子融合技術が注目を集めている.光変調器は伝送容量...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  *高温 ,  *光変調 ,  *光変調素子 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  波長 ,  二酸化ケイ素 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  消費電力 ,  静電容量 ,  挿入損 ,  信号伝送 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Si ,  リブ導波路 ,  電界吸収型光変調器 ,  高温動作