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J-GLOBAL ID：202102271658395675   整理番号：21A0984891

近メモリ計算マクロによる超高速レーザアニールモノリシック3DゲートオールアラウンドCMOS論理とFeFETメモリの最初の実証【JST・京大機械翻訳】

First Demonstration of Ultrafast Laser Annealed Monolithic 3D Gate-All-Around CMOS Logic and FeFET Memory with Near-Memory-Computing Macro

著者 (23件)： Hsueh Fu-Kuo (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Hung Je-Min (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Huang Sheng-Po (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Huang Yen-Hsiang (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Xue Cheng-Xin (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Shen Chang-Hong (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Shieh Jia-Min (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Chiu Wen-Cheng (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Lin Chao-Cheng (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Chen Bo-Yuan (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Liu Szu-Ching (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Chen Shih-Wei (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Niou Deng-Yan (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Huang Wen-Hsien (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Li Kai-Shin (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Lin Kun-Kin (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Chang Da-Chiang (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Chen Kun-Ming (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Huang Guo-Wei (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan) ,  Pan Ci-Ling (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Chang Meng-Fan (National Tsing Hua University,Hsinchu,Taiwan) ,  Hu Chenming (National Chiao Tung University,Hsinchu,Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (Taiwan Semiconductor Research Institute,Hsinchu,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 40.4.1-40.4.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,超高速レーザアニールしたBEOLゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタとFeFETメモリをモノリシック3D近メモリ計算(NMC)回路で実証した。超高速ピコ秒可視レーザドーパント活性化を用いたGAA MOSFETは,記録-高イオン(nFET=407uA/um,pFET=345uA/um)を示した。BEOL FeFETメモリは,106サイクル耐久性以上の大きなメモリウインドウΔV_th=1.2Vを示した。さらに,GAA MOSFETとFeFETメモリビットセルの3Dスタック性はNMC回路の面積を低減し,読出しスループットを改善する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  トランジスタ ,  MOSFET ,  可視レーザ ,  スループット ,  *三次元 ,  ピコ秒 ,  *レーザアニーリング ,  ドーパント ,  *CMOS
準シソーラス用語： BEOL ,  超高速 ,  *FeFET ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： 計算 ,  マクロ ,  超高速レーザ ,  アニール ,  3D ,  ゲートオールアラウンド ,  CMOS ,  論理 ,  FeFET ,  実証