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J-GLOBAL ID：202102271784303838   整理番号：21A0696895

成膜プロセスにおける成膜前駆体由来の不純物によるSi/SiO₂界面伝導性の予測

Prediction of conductivity at Si/SiO₂ interface due to impurities originating from deposition precursors

著者 (3件)： LI Hu (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ,  稲垣耕司 (大阪大 大学院) ,  森川良忠 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z03-6  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】半導体微細加工の発展とともに,積層構造におけるMOS(Metal Oxide Semiconducter)の更なる高集積化と高性能化が求められ,それらを実現するためには,微細加工プロセスにおいて原子レベルの制御が必要となる.Si/S...【本文一部表示】

シソーラス用語： *界面 ,  シミュレーション ,  半導体 ,  *不純物 ,  *ケイ素 ,  炭素 ,  *二酸化ケイ素 ,  伝導バンド ,  漏れ電流 ,  電気特性 ,  状態密度 ,  微細加工
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *薄膜形成 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 成膜プロセス ,  成膜 ,  前駆体 ,  不純物 ,  Si ,  SiO2 ,  界面 ,  予測