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J-GLOBAL ID：202102272341241607   整理番号：21A0428932

MoS_2の電子構造と水素発生反応に及ぼす硫黄空孔濃度効果の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of sulfur vacancy concentration effect on the electronic structures and hydrogen evolution reaction of MoS₂

著者 (4件)： Zhou Wenyu (School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry, Chongqing University, Chongqing 401331, People’s Republic of China) ,  Dong Lichun (School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry, Chongqing University, Chongqing 401331, People’s Republic of China) ,  Tan Luxi (School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry, Chongqing University, Chongqing 401331, People’s Republic of China) ,  Tang Qing (School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry, Chongqing University, Chongqing 401331, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 32  号： 14  ページ： 145718 (7pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学は,二硫化モリブデン(MoS_2)の電極触媒特性を調節する実験に広く使用されている。しかし,空格子点分布,電子特性,および水素発生反応(HER)活性に及ぼす空格子点濃度の影響は,不明のままである。ここでは,密度汎関数理論(DFT)研究を行い,種々の数の硫黄空孔を有する欠陥MoS_2を調べた。低いS-空孔濃度の場合,空孔は分散するよりむしろ凝集し,一方,より高い空孔濃度では,局所点欠陥とクラスタ化空孔鎖の組み合わせが優先される。S-空孔間のカップリングはバンドギャップを減少させ,空孔濃度の増加に伴いMo-H吸着強度を増加させた。最適HER活性は12.50%の空孔濃度以下で起こると同定された。本研究は,MoS_2のHER性能におけるS空孔の役割に関する原子レベルの理解を提供し,欠陥MoS_2および他のTMD電極触媒の設計に有用な指針を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  点欠陥 ,  *電子構造 ,  クラスタ化 ,  電極触媒 ,  *硫黄 ,  密度汎関数法 ,  *水素発生反応 ,  バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： *濃度効果 ,  二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子構造 ,  水素発生反応 ,  硫黄 ,  空孔 ,  濃度効果 ,  第一原理 ,  研究