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J-GLOBAL ID：202102272555973529   整理番号：21A0150002

漏れ電流機構に基づく統一4H-SIC MosfetsTDDB寿命モデル【JST・京大機械翻訳】

A Unified 4H-SIC Mosfets TDDB Lifetime Model Based on Leakage Current Mechanism

著者 (7件)： Chen Hua (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  Zhao Pan (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  Liu Jiahao (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  Su Yusen (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  Zheng Tuo (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  Ni Hao (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China) ,  He Liang (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University,Xi’an,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC MOSFETの漏れ電流を,異なるゲート電圧と温度で測定し,それは,Ohm電流とFP発光からFNトンネル電流を区別する臨界条件を明らかにした。臨界条件がEモデルおよびl/Eモデルの適用可能な条件を示すと仮定して,統一時間依存誘電破壊(TDDB)モデルを提案し,それは,Eモデルよりも長いTDDB寿命を予測し,そして,l/Eモデルより低かった。キーワード-TDDB寿命モデル;FNトンネリング;オーム電流;FP放出;4H-SiC MOSFET;Eモデル;l/Eモデル。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *電流 ,  トンネル効果 ,  発光 ,  キーワード ,  炭化ケイ素 ,  時間依存性 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： *TDDB ,  4H-SiC ,  トンネル電流 ,  ゲート電圧 ,  Eモデル ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 漏れ電流 ,  4H-SiC ,  寿命 ,  モデル