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J-GLOBAL ID：202102273187740771   整理番号：21A0158106

原子トンネリング状態を除去するための電子ビーム蒸着とスパッタリングにより作製した非晶質シリコンの比較【JST・京大機械翻訳】

Comparing amorphous silicon prepared by electron-beam evaporation and sputtering toward eliminating atomic tunneling states

著者 (7件)： Liu Xiao (Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA) ,  Abernathy Matthew R. (Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA) ,  Metcalf Thomas H. (Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA) ,  Jugdersuren Battogtokh (Jacobs Engineering Group, Hanover, MD, 21076, USA) ,  Culbertson James C. (Naval Research Laboratory, Code 7130, Washington, D.C., 20375, USA) ,  Molina-Ruiz Manel (Department of Physics, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Hellman Frances (Department of Physics, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 855  号： P2  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に,非晶質シリコン(a-Si)薄膜は,高温で保持されている基板上への電子ビーム蒸着により,トンネル2準位系(TLS)を自由に製造することができ,これらの膜の原子密度とTLSの数密度との間に強い反相関があるように思われる。電子ビーム研究で用いたものに匹敵する基板温度でマグネトロンスパッタリングを用いて,より高い原子密度を有するa-Si膜を作製した。Rutherford後方散乱とせん断弾性率,音速,およびスパッタa-Si膜の極低温での内部摩擦測定を用いて計算したTLSの密度を電子ビーム膜のそれらと比較した。著者らの結果は,それらのより高い原子密度にもかかわらず,高い基板温度で調製したスパッタa-Si膜は,e-ビーム蒸着とは異なる膜成長機構に起因するTLSのより低い音速とより高い密度を有することを示した。原子密度および音速によって決定された局所構造とネットワーク連結性の協調的改善が,原子トンネル状態を除去するのに,それらの結晶値に近づくのに必要であると結論した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 音速 ,  内部摩擦 ,  高温 ,  *電子ビーム ,  *トンネル効果 ,  薄膜 ,  ネットワーク ,  剛性率 ,  極低温 ,  薄膜成長 ,  *蒸着 ,  *電子ビーム蒸着 ,  Rutherford後方散乱 ,  基板温度 ,  *アモルファスシリコン

著者キーワード (6件)： アモルファス材料 ,  薄膜 ,  反応性スパッタリング ,  量子トンネリング ,  音響特性 ,  Ruerford後方散乱

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  トンネリング ,  電子ビーム蒸着 ,  スパッタリング ,  作製 ,  非晶質シリコン