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J-GLOBAL ID：202102273643094150   整理番号：21A0387120

コルビノ幾何学を用いた高バルク抵抗トポロジカル絶縁体Sn_0.02Bi_1.08Sb_0.9Te_2Sにおける単一表面伝導【JST・京大機械翻訳】

Single-surface conduction in a highly bulk-resistive topological insulator Sn_0.02Bi_1.08Sb_0.9Te₂S using the Corbino geometry

著者 (9件)： Misawa Tetsuro (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Nakamura Shuji (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Okazaki Yuma (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Fukuyama Yasuhiro (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Nasaka Nariaki (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Ezure Hiroki (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan) ,  Urano Chiharu (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Kaneko Nobu-Hisa (National Metrology Institute of Japan, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8563, Japan) ,  Sasagawa Takao (Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology, Yokohama, Kanagawa, 226-8503, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 118  号： 3  ページ： 033102-033102-5  発行年： 2021年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体における単一表面伝導を実現するために,高バルク抵抗トポロジー絶縁体Sn_0.02Bi_1.08Sb_0.9Te_2S(Sn-BSTS)の単結晶から,マイクロスケールCorbinoデバイスを作製した。四端子抵抗を2K-300Kで測定し,Corbino素子の抵抗の温度依存性がSn-BSTSバルク試料のそれと明らかに異なることを見出した。平行の独立した伝導経路として,トップ表面,底面,およびバルクを考慮することにより,Corbinoデバイスの非在来挙動を定量的に理解できることを示した。さらに,抵抗ネットワークモデルを導入することによって,電流分布を研究し,それは,トップ表面支配伝導が低温において実現されることを明らかにした。本研究は,トポロジー絶縁体における輸送測定のためのCorbino形状の有用性を実証した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *幾何学 ,  単結晶 ,  低温 ,  電流分布 ,  温度依存性 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  *表面伝導 ,  マイクロスケール
準シソーラス用語： ネットワークモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 幾何学 ,  バルク ,  トポロジカル絶縁体 ,  表面伝導