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J-GLOBAL ID：202102274046554265   整理番号：21A0175329

熱プロセスにおける核形成と相転移によるSiドープHfO_2の強誘電相形成の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

A first-principles study on ferroelectric phase formation of Si-doped HfO₂ through nucleation and phase transition in thermal process

著者 (5件)： Wu Jixuan (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Mo Fei (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Saraya Takuya (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Hiramoto Toshiro (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan) ,  Kobayashi Masaharu (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo 153-8505, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 25  ページ： 252904-252904-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理シミュレーションによる熱過程における核形成と相転移によるSiドープHfO_2の強誘電相形成を研究した。熱処理中の薄膜中の非晶質HfO_2からの核形成過程に対して,正方晶相はドーパントと表面エネルギーの影響で熱力学的に優先され,エントロピーがフォノンスペクトル計算から直接計算される。冷却中に,正方晶から強誘電相への拡散のない相転移は原子変位によって生じ,単斜晶相への転移は,高い速度論的活性化障壁によって抑制される。正方晶相から強誘電相への相転移過程をab initio分子動力学シミュレーションによって直接確認した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エントロピー ,  *核形成 ,  シミュレーション ,  *相転移 ,  熱処理 ,  薄膜 ,  非晶質 ,  *ドーピング ,  単斜晶系 ,  正方晶系 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 原子変位 ,  分子動力学シミュレーション ,  活性化障壁 ,  *相形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： プロセス ,  核形成 ,  相転移 ,  Si ,  ドープ ,  相形成 ,  第一原理 ,  研究