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J-GLOBAL ID：202102274870973216   整理番号：21A0696832

自己フラックス法におけるBi2212単結晶育成の融剤付加効果

Flux Dependence of Bi2212 Single Crystal using Self-Flux Melting Methods

著者 (8件)： 水谷有希 (豊田工高専) ,  三井俊樹 (豊田工高専) ,  及川大 (豊田工高専) ,  都築啓太 (豊田工高専) ,  熊谷勇喜 (豊田工高専) ,  杉浦藤虎 (豊田工高専) ,  安藤浩哉 (豊田工高専) ,  塚本武彦 (豊田工高専)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z27-7  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 近年、高速かつ小消費電力の超伝導体デバイスの開発が進んでいる。超伝導体デバイスの作製には良質な超伝導体の単結晶が必要である。Bi-2212単結晶の育成方法の一つとして原材料の融点を減少させるフラックス剤を用いるフラックス法がある。高温超伝導...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  焼結 ,  *単結晶 ,  *フラックス法 ,  *融剤 ,  融点 ,  結晶度 ,  半値幅 ,  ロッキングカーブ ,  超伝導体 ,  高温超伝導体
準シソーラス用語： *Bi2212 ,  高品質 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己フラックス法 ,  Bi2212 ,  単結晶育成 ,  融剤